Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 600 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường song song với mặt phẳng chứa hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?

Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 600 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường song song với mặt phẳng chứa hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?

A. 1,2 mm.

B. 0,80 mm.

C. 0,96 mm.

D. 0,60 mm.

Hướng dẫn

Điện kế lệch nhiều nhất ứng với vân sáng. Hai lần liên tiếp điện kế lệch nhiều tương ứng với khoảng cách bằng khoảng vân \(i = \frac{\lambda D}{a} = 0,96 mm, i = 0,96 mm\)
⇒ Chọn đáp án C