Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 0,6 $\mu m$ , khoảng cách giữa hai khe 1,2 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 0,9 m. Để kim điện kế lại lệch nhiều nhất ta dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe thì cứ sau một khoảng bằng

Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 0,6 $\mu m$ , khoảng cách giữa hai khe 1,2 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 0,9 m. Để kim điện kế lại lệch nhiều nhất ta dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe thì cứ sau một khoảng bằng

A.0,9 mm.

B. 0,225 mm.

C.0,1125 mm.

D.0,45 mm.

Hướng dẫn

Kim điện kế lệch nhiều nhất khi nhiệt độ của mối hàn cao nhất, vậy khi đó mối hàn phải ở vị trí vân sáng thì mới thu được phần nhiệt lượng lớn nhất. Vậy khoảng dịch chuyển chính là khoảng cách giữa 2 vân sáng liên tiếp $i=\frac{0,9. 0,6}{1,2}=0,45(mm)$